金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，北京智芯微电子科技有限公司申请一项名为“层间介质膜形成方法、半导体结构和芯片”的专利，公开号 CN 119743992 A，申请日期为 2024年12月。
专利摘要显示，本发明提
供一种层间介质膜形
成方法、半导体结构和
芯片，涉及半导体技术
领域。制作方法包括：
在形成多个栅极结构
之后，分别在每一栅极结构两侧形成初始侧墙结构；其中，所述
栅极结构呈台阶状突出于衬底上表面；所述初始侧墙结构为由
上至下相同厚度的构型；对所述初始侧墙结构进行多次刻蚀，
形成上端窄下端宽构型的侧墙结构；其中，所述多次刻蚀包括
干法刻蚀和湿法刻蚀；在衬底、栅极结构和侧墙结构表面形成
层间介质膜。通过本发明，能够增大相邻两个栅极结构侧墙的
间距，减少高密度等离子体层间介质层工艺在填充过程产生的
孔洞，保证接触孔刻蚀，保证接触孔侧壁阻挡层的填充以及钨
的填充，提高静态随机存取存储器良率。
天眼查资料显示，北京智芯微电子科技有限公司，成立于2013年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本641018.943287万人民币，实缴资本641018.943287万人民币。通过天眼查大数据分析，北京智芯微电子科技有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目3533次，财产线索方面有商标信息126条，专利信息2797条，此外企业还拥有行政许可8个。
本文源自金融界
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